Sk hynix 1znm 16gb (gigabit) ddr4 میموری تیار کرتا ہے

ایس کے ہینکس نے اعلان کیا ہے کہ اس نے ایک نئی 1Znm 16Gb (گیگابائٹس) DDR4 میموری تیار کی ہے۔ 1Znm موجودہ DDR4 DRAM ماڈیولز کے لئے انڈسٹری کی اعلی ترین کثافت اور فی فی ویفر کل گنجائش پیش کرے گا۔

ایس کے ہینکس نے 1Znm 16Gb DDR4 میموری تیار کیا (گیگابٹس)

کمپنی کا دعوی ہے کہ پچھلی نسل 1 ینیم لائن کے مقابلے میں نئے 1Znm میموری ماڈیولز کی پیداواری صلاحیت میں تقریبا 27 فیصد اضافہ ہوا ہے ۔ تاہم ، مینوفیکچرنگ کے عمل کو مہنگا انتہائی الٹرا وایلیٹ لتیم (EUV) کی ضرورت نہیں ہے ، جس سے 1Znm پیداوار پہلے سے کہیں زیادہ منافع بخش ہے۔

ایس کے ہینکس 1 زیڈ این ایم میموری 3200 ایم بی پی ایس تک ڈیٹا کی منتقلی کی شرحوں کی حمایت کرتی ہے ، جو ڈی ڈی آر 4 انٹرفیس کی تیز ترین ڈیٹا پروسیسنگ کی رفتار ہے۔ نئے 1Znm میموری ماڈیولز نے توانائی کی استعداد کار میں اضافہ کیا ہے ، اسی طرح پچھلے 1YNnm 8Gb DRAM کے اسی کثافت کے ماڈیولز کے مقابلے میں بجلی کی کھپت کو 40 فیصد کے قریب کامیابی سے کم کیا گیا ہے ۔

مینوفیکچرنگ کے عمل میں ایک نیا مادہ لاگو کیا گیا ہے ، جو پچھلی نسل میں استعمال نہیں کیا گیا ، جو 1Znm مصنوع کی گنجائش کو زیادہ سے زیادہ کرتا ہے۔ کیپسیٹنسیس بجلی کے معاوضے کی مقدار ہے جو ایک کپیسیٹر محفوظ کرسکتا ہے ، جو DRAM آپریشن میں ایک کلیدی عنصر ہے۔ آپریشنل استحکام کو بڑھانے کے لئے اس عمل میں ایک نیا ڈیزائن بھی پیش کیا گیا ہے۔

مارکیٹ میں بہترین رام میموری سے متعلق ہماری گائیڈ دیکھیں

ایس ہینکس نے 1Znm ٹکنالوجی کے عمل کو کئی ایپلی کیشنز تک بڑھانے کا منصوبہ بنایا ہے جس میں پورٹیبل ایل پی ڈی ڈی آر 5 DRAM اور HBM3 کی اگلی نسل بھی شامل ہے ، جو مستقبل میں سب سے تیز رفتار DRAM ہوگی۔

ٹیک پاور پاورکیٹگرو فونٹ