سیمسنگ نے افس 3.0 ماڈیول کی بڑے پیمانے پر پیداوار شروع کردی

سیمسنگ نے آج اعلان کیا کہ اس نے اگلی نسل کے موبائل آلات کے لئے صنعت کے پہلے 512 جی بی ای یو ایف ایس 3.0 مربوط عالمگیر فلیش اسٹوریج ماڈیولوں کی بڑے پیمانے پر پیداوار شروع کردی ہے۔

اگلی نسل کے اسمارٹ فونز میں EUFS 3.0 کی بدولت 1TB تک کی گنجائش ہوگی

تازہ ترین ای یو ایف ایس specific. specific کی وضاحت کے مطابق ، نئی سیمسنگ میموری پچھلی ای یو ایف ایس (ای یو ایف ایس 2.1) کی دوگنی رفتار کی پیش کش کرتی ہے ، جس سے مستقبل میں اسمارٹ فونز پر ایک بے مثال صارف کے تجربے کی اجازت ملتی ہے جس میں بڑے اعلٰی ریزولوشن ڈسپلے کے ساتھ دو بار اسمارٹ فونز پر اسٹوریج کی گنجائش کو تین گنا کردیں۔

سام سنگ نے جنوری 2015 میں ای یو ایف ایس 2.0 کے ساتھ انڈسٹری کا پہلا یو ایف ایس انٹرفیس تیار کیا ، جو اس وقت کے موبائل میموری میموری سے 1.4 گنا تیز تھا ، جسے انٹیگریٹڈ میڈیا کارڈ (ای ایم ایم سی) 5.1 کہا جاتا ہے۔ صرف چار سالوں میں ، کمپنی کی نئی ای یو ایف ایس 3.0 آج کی الٹربوک نوٹ بک کی کارکردگی سے میل کھائے گی۔

سیمسنگ کی 512 جی بی ای یو ایف ایس 3.0 کمپنی کی پانچویں جنریشن 512 گیگا بٹ (جی بی) وی نند کے آٹھوں کو اسٹیک کرتی ہے اور ایک اعلی کارکردگی والے کنٹرولر کو مربوط کرتی ہے۔ 2،100 میگا بائٹ فی سیکنڈ (MB / s) میں ، نیا ای یو ایف ایس سام سنگ کی تازہ ترین ای یو ایف ایس میموری (ای یو ایف ایس 2.1) کی ترتیب وار پڑھنے کی رفتار کو دگنا کردیتا ہے جس کا اعلان جنوری میں کیا گیا تھا۔ نئے حل کی پڑھنے کی رفتار ساٹا ٹھوس اسٹیٹ ڈرائیو (ایس ایس ڈی) کی نسبت چار گنا اور آج مائکرو ایس ڈی کارڈ سے 20 گنا زیادہ تیز ہے۔

تحریری رفتار 410 MB / s تک ہوگی ، یہ موجودہ SATA SSD کے برابر ہے۔ اس کا تخمینہ بھی 63،000 اور 68،000 ان پٹ / آؤٹ پٹ آپریشنس فی سیکنڈ (IOPS) ہے۔

سیمسنگ سال کے دوسرے نصف حصے میں 1TB eUFS 3.0 ماڈیول تیار کرنے کا بھی منصوبہ رکھتا ہے۔

ٹیک پاور پاور فونٹ