سیمسنگ 322 ملی میٹر پر فائنفٹ ٹکنالوجی ترک کرے گا ، جو 2022 میں شروع ہوگا

سام سنگ فاؤنڈری فورم 2018 ایونٹ کے دوران ، جنوبی کوریائی دیو نے اپنی پروسیس ٹکنالوجی میں ایک نئی نئی بہتری کا انکشاف کیا جس کا مقصد اعلی کارکردگی والے کمپیوٹنگ اور منسلک آلات ہیں۔ کمپنی 3nm پر FinFET ٹکنالوجی ترک کرے گی۔

سیمسنگ FinFET کو 3 nm ، تمام تفصیلات کے ساتھ ایک نئے ٹرانجسٹر کے ساتھ تبدیل کرے گا

سمسو این جی کے نئے روڈ میپ میں صارفین کو مختلف صنعتوں کو نشانہ بنانے والے آلات کے لئے زیادہ سے زیادہ توانائی کے موثر نظام کی فراہمی پر توجہ دی گئی ہے۔ ایگزیکٹو نائب صدر اور فاؤنڈری کے لئے فروخت اور مارکیٹنگ کے ڈائریکٹر ، چارلی بی ، کہتے ہیں ، "ایک بہتر اور زیادہ منسلک دنیا کی طرف رجحان اس صنعت کو سلکان فراہم کرنے والوں کی زیادہ مانگ کر رہا ہے۔"

ہم تجویز کرتے ہیں کہ سیمسنگ پر ہماری پوسٹ کو پڑھنے سے گلیکسی نوٹ 9 پر بکسبی 2.0 کے ساتھ مصنوعی ذہانت کی صلاحیتوں میں اضافہ ہوگا

سیمسنگ کی اگلی پروسیس ٹیکنالوجی ای یو وی لتھوگرافی پر مبنی لو پاور پلس 7nm ہے ، جو اس سال کے دوسرے نصف حصے کے دوران بڑے پیمانے پر پیداواری مرحلے میں داخل ہوگی اور 2019 کے پہلے ششماہی کے دوران وسیع ہوجائے گی ۔ اگلا قدم کم عمل ہوگا۔ پاور ارلی 5nm جو 7nm کی توانائی کی کارکردگی کو ایک نئی سطح پر بہتر بنائے گی۔ یہ عمل ابھی بھی FinFET ٹکنالوجی پر مبنی ہوں گے ، جیسا کہ اگلے 4nm پر ہوگا۔

فائن ایف ای ٹی ٹیکنالوجی کو 3nm گیٹ-آل-آراؤنڈ ارلی / پلس عمل میں منتقل کرنے کے ساتھ ترک کردیا جائے گا ، جو ایک نئی قسم کے ٹرانجسٹر پر مبنی ہوگی جو FinFET کے ساتھ موجود جسمانی اسکیلنگ کے مسائل کو حل کرنے کی اجازت دیتی ہے ۔ ابھی تک ابھی کچھ سال باقی ہیں جب تک کہ اس مینوفیکچرنگ کا عمل 7 این ایم پر نہ آجائے ، پہلا تخمینہ سال 2022 کی طرف اشارہ کرتا ہے ، حالانکہ سب سے عام بات یہ ہے کہ اس میں کچھ تاخیر شامل ہیں۔

ہم سلیکن کی حد کے قریب ہوتے جارہے ہیں ، جس کی تخمینہ 1nm کی ہے ، جس سے مینوفیکچرنگ کے نئے عمل کے ساتھ آگے بڑھنا مشکل تر ہوتا جارہا ہے ، اور خلاء کم ہوتے جارہے ہیں۔

ٹیک سپاٹ فونٹ