'ٹی رے' رام کی یادوں کو 1000 بار بڑھا سکتا ہے

جس طرح مستقبل کے گرافین پر مبنی چپس پہلے ہی وضع کی جارہی ہیں ، اب وقت آگیا ہے کہ ان یادوں کو بہتر بنایا جائے جو آج کسی بھی کمپیوٹر میں مل سکتی ہیں۔ روسی اور یوروپی سائنس دانوں کا ایک گروپ 'ٹی رے' (ٹیرہیارٹز تابکاری) کے نام سے ایک نئی ٹکنالوجی پر کام کر رہا ہے جس میں رام کی رفتار کو 1000 گنا تک بہتر بنایا جائے گا۔

رام یادوں کی رفتار کو بہتر بنانے کے ل '' T-rays '(terahertz تابکاری)

اس ٹیکنالوجی کا مطالعہ کیا گیا ہے اور اس کو سائنسی جریدے نیچر فوٹوونکس نے شائع کیا ہے۔ تیراہٹز یا 'ٹی رے' تابکاری کوئی نئی بات نہیں ہے ، ہوائی اڈے کے اسکینرز میں پہلے ہی کچھ ایسا ہی استعمال کیا جاتا ہے ، لیکن اس بار اس کا اطلاق میموری کے خلیوں پر کیا جائے گا تاکہ وہ اپنے کام کو تبدیل کرسکیں۔

سائنس دانوں نے جو کچھ حاصل کیا ہے وہ یہ ہے کہ ٹیلی ہارٹیز تابکاری کو کم جماع والے فروم میگنیٹک عنصر پر لگانا ہے ، اور اس طرح مقناطیسی خصوصیات کو بہت زیادہ تیزی سے تبدیل کرنے کا انتظام ہوتا ہے ۔ اس ریم پر اطلاق کیا جس سے یہ چل سکتا ہے (ان کا تخمینہ ہے) 1000 گنا زیادہ تیز۔

آج کے رام کی رفتار کو بہتر بنانے کے ل relatively یہ نسبتا cheap 'سستا' جواب ہوگا ، جو کئی سالوں میں نئے ورژن (DDR، DDR2 DDR3، DDR4، وغیرہ) کی مدد سے بہتر ہوتا ہے لیکن شرح پر نہیں، مثال کے طور پر کارڈز کی گرافکس

مینوفیکچررز رام پر مقناطیسی فیلڈ کا استعمال کرتے ہوئے اس ٹکنالوجی کو نافذ کرنے کے لئے کیسے کر سکتے ہیں؟ آج کا معمہ ہے